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不同的驅動(dòng)電路，它所屬特性不同，會(huì )直接影響功率器件。好的驅動(dòng)電路，能縮短功率器件在開(kāi)關(guān)上的使用時(shí)間，減小損失，對于效率方面有很大的提升，安全性和穩定性都比較好。什么樣的驅動(dòng)電路算是好的呢？

mos管開(kāi)關(guān)器件理想的驅動(dòng)電路

(1)功率開(kāi)關(guān)管開(kāi)通時(shí)，驅動(dòng)電路可以提供快速上升的基極電流，使得開(kāi)啟時(shí)有足夠的驅動(dòng)功率，從而減小開(kāi)通損耗。

(2)開(kāi)關(guān)管導通期間，mos驅動(dòng)電路提供的基極電流在任何負載狀況下都能保證功率管處于飽和導通狀態(tài)，保證比擬低的導通損耗。為減小存儲時(shí)間，器件關(guān)斷前應處于臨界飽和狀態(tài)。

(3)關(guān)斷時(shí)，驅動(dòng)電路應提供足夠的反向基極驅動(dòng)，以疾速的抽出基區的剩余載流子，減小存儲時(shí)間;　　并加反偏截止電壓，使集電極電流疾速降落以減小降落時(shí)間。當然，晶閘管的關(guān)斷主要還是靠反向陽(yáng)極壓降來(lái)完成關(guān)斷的。

目前來(lái)說(shuō)，關(guān)于晶閘管的驅動(dòng)用的比擬多的只是經(jīng)過(guò)變壓器或者光耦隔離來(lái)把低壓端與高壓端隔開(kāi)，再經(jīng)過(guò)轉換電路來(lái)驅動(dòng)晶閘管的導通。而關(guān)于 IGBT來(lái)說(shuō)目前用的較多的是 IGBT 的驅動(dòng)模塊，也有集成了 IGBT、 系統自維護、 自診斷等各個(gè)功用模塊的 IPM。

驅動(dòng)電路在一定的程度上，能夠決定mos管的各項性能，也會(huì )間接的影響它的使用壽命，在區分驅動(dòng)電路的這一環(huán)節中，還是需要認真的對待，選擇比較好的驅動(dòng)電路，這才是最關(guān)鍵的事。