•產(chǎn)品描述:U1001A是高壓,高速功率MOSFET和IGBT驅動(dòng)器,具有相關(guān)的高側和低側參考輸出通道。專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)可實(shí)現堅固的單片結構。邏輯輸入兼容標準CMOS或LSTTL輸出,低至3.3V邏輯。輸出驅動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級,設計用于最小的驅動(dòng)器交叉導通。浮動(dòng)通道可用于驅動(dòng)n通道功率MOSFET或IGBT的高側配置,其工作電壓高達30伏。
•主要特點(diǎn):為自啟動(dòng)設計的浮動(dòng)通道內置SD功能耐受負瞬態(tài)電壓抗v /dt柵極驅動(dòng)供電范圍從5到30V欠壓鎖定3.3V, 5V輸入邏輯兼容交叉傳導防止邏輯內部設定死區時(shí)間高側輸出與輸入相關(guān)斷輸入關(guān)閉兩個(gè)通道兩個(gè)通道匹配傳播延遲
•典型應用電路:
Copyright ? 2015-2023 紹興宇力半導體有限公司
浙公網(wǎng)安備33060202001577
浙ICP備2020037221號-1
技術(shù)支持:藍韻網(wǎng)絡(luò )